CDR33BP112BFZMAT是一種基于碳化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�。該器件�(zhuān)為高效率和高性能�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有出色的�(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電�。它通常�(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源系�(tǒng)等領(lǐng)��
該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的散熱性能,并且支持更高的工作溫度范圍,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
型號(hào):CDR33BP112BFZMAT
�(lèi)型:SiC MOSFET
最大漏源電壓:1200V
持續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:8mΩ(典型值,�25°C�(shí)�
柵極電荷�100nC(典型值)
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)500kHz
工作溫度范圍�-55°C�175°C
封裝形式:D2PAK (TO-263)
CDR33BP112BFZMAT具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓能�,使其適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損耗并提高了整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻操作�
4. 良好的熱性能,確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)��
5. 碳化硅材料的使用提升了器件的耐用性和可靠性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
CDR33BP112BFZMAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,用于服�(wù)器電源或通信�(shè)��
2. 太陽(yáng)能逆變�,實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)換�
3. 電動(dòng)�(chē)(EV)和混合�(dòng)力車(chē)(HEV)中的牽引逆變��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�,提供精確控制和節(jié)能效��
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng),確保電力供�(yīng)�(wěn)定��
6. 充電樁設(shè)�(jì),以支持快速充電功��
CDR33BP112BFZMATN
CDR33AP112BFZMAT
CDR25BP112BFZMAT