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CDR33BP112BFZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 11:52:56 查看 閱讀�5

CDR33BP112BFZMAT是一種基于碳化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�。該器件�(zhuān)為高效率和高性能�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有出色的�(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電�。它通常�(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源系�(tǒng)等領(lǐng)��
  該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的散熱性能,并且支持更高的工作溫度范圍,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):CDR33BP112BFZMAT
  �(lèi)型:SiC MOSFET
  最大漏源電壓:1200V
  持續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ(典型值,�25°C�(shí)�
  柵極電荷�100nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:D2PAK (TO-263)

特�

CDR33BP112BFZMAT具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓能�,使其適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損耗并提高了整體效��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻操作�
  4. 良好的熱性能,確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 碳化硅材料的使用提升了器件的耐用性和可靠性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��

�(yīng)�

CDR33BP112BFZMAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,用于服�(wù)器電源或通信�(shè)��
  2. 太陽(yáng)能逆變�,實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)換�
  3. 電動(dòng)�(chē)(EV)和混合�(dòng)力車(chē)(HEV)中的牽引逆變��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�,提供精確控制和節(jié)能效��
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng),確保電力供�(yīng)�(wěn)定��
  6. 充電樁設(shè)�(jì),以支持快速充電功��

替代型號(hào)

CDR33BP112BFZMATN
  CDR33AP112BFZMAT
  CDR25BP112BFZMAT

cdr33bp112bfzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1100 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"�1.25mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-