CDR31BX821BKZSAT 是一款由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)的高� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備出色的開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻特�,適用于高效率電源管理解決方案�
這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有較高的耐壓能力以及快速的�(kāi)�(guān)速度,可有效降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能�
�(lèi)型:MOSFET
溝道�(lèi)型:N 溝道
最大漏源電� Vds�800V
最大柵源電� Vgs:�20V
最大持�(xù)漏極電流 Id�5.6A
�(dǎo)通電� Rds(on)�0.7Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
總功� Ptot�19W
工作溫度范圍 Tj�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-220AC
CDR31BX821BKZSAT 的主要特性包括:
1. 高擊穿電�,支持高�(dá) 800V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,可以顯著降低開(kāi)�(guān)損��
4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提高了�(chǎn)品的可靠性和抗干擾能��
5. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),確保在高功率運(yùn)行條件下的穩(wěn)定表�(xiàn)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�
7. 支持表面貼裝和通孔安裝兩種方式,便于不同應(yīng)用場(chǎng)景的需��
CDR31BX821BKZSAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 逆變器和變頻器電��
3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 充電器和電池管理系統(tǒng) (BMS)�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)��
6. 高壓�(fù)載切換控��
其高耐壓能力和低�(dǎo)通電阻使其成為需要高效功率處理的�(yīng)用的理想選擇�
CDR31BX821BKZSATL, IRF840, STP80NF06