CDR31BX682AMZMAT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該芯片封裝形式為表面貼裝類型,適用于高密度電路板�(shè)�(jì),同�(shí)具備良好的散熱性能,以適應(yīng)各種�(fù)雜的工作�(huán)境�
型號(hào):CDR31BX682AMZMAT
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
總柵極電�(Qg)�105nC
輸入電容(Ciss)�4380pF
輸出電容(Coss)�950pF
反向傳輸電容(Crss)�75pF
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3L
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,從而降低了�(dǎo)通損�,提高了整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高電流承載能力(最�50A),支持大功率應(yīng)��
4. 寬工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提升了散熱性能,減少了熱阻�
7. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)元件�
3. 電動(dòng)�(chē)輛中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路�
6. 其他需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)景�
IRFP2907, FDP077N06A, IXTH120N06T2