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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BX682AMZMAT

CDR31BX682AMZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:39:52 查看 閱讀�8

CDR31BX682AMZMAT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該芯片封裝形式為表面貼裝類型,適用于高密度電路板�(shè)�(jì),同�(shí)具備良好的散熱性能,以適應(yīng)各種�(fù)雜的工作�(huán)境�

參數(shù)

型號(hào):CDR31BX682AMZMAT
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  總柵極電�(Qg)�105nC
  輸入電容(Ciss)�4380pF
  輸出電容(Coss)�950pF
  反向傳輸電容(Crss)�75pF
  工作溫度范圍�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,從而降低了�(dǎo)通損�,提高了整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高電流承載能力(最�50A),支持大功率應(yīng)��
  4. 寬工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提升了散熱性能,減少了熱阻�
  7. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)元件�
  3. 電動(dòng)�(chē)輛中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路�
  6. 其他需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRFP2907, FDP077N06A, IXTH120N06T2

cdr31bx682amzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-