CDR31BX561BMZRAT 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的高耐壓MOSFET芯片,主要應(yīng)用于需要高效率和低功耗的場景。該器件采用溝槽型結(jié)�(gòu)�(shè)�,能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)性能,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。其封裝形式� HTSSOP-B20 (表面貼裝),非常適合在緊湊型電路中使用�
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�5.9A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�480mΩ
總功耗:26W
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:HTSSOP-B20
CDR31BX561BMZRAT 的核心優(yōu)勢在于其高耐壓能力與低�(dǎo)通電阻的平衡,這使得它能夠在硬開關(guān)�(yīng)用中保持高效運行�
1. 高擊穿電壓(700V)使其適合用于高壓環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等場景�
2. 采用了先�(jìn)的工藝技�(shù)以降低導(dǎo)通電阻(典型值為480mΩ�,從而減少了功率損耗�
3. 快速開�(guān)性能有助于減少開�(guān)損�,并提升整體系統(tǒng)效率�
4. 封裝緊湊且具有良好的散熱性能,便于在小型化設(shè)計中集成�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
該器件廣泛適用于各種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品中的電源管理模塊:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變�
3. 電機�(qū)動器
4. LED 照明�(qū)�
5. 不間斷電源(UPS�
6. 充電器及適配�
由于其高耐壓特性和高效表現(xiàn),特別推薦用于需要處理高壓輸入或輸出的應(yīng)用場��
CDR31BX560BMZRAT
CDR31BX562BMZRAT
IRF840
FQA59P70B