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CDR31BX183AMZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 17:56:09 查看 閱讀�5

CDR31BX183AMZRAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的雙通道、高� MOSFET �(qū)�(dòng)器芯�。該�(qū)�(dòng)器專為需要高效率和快速開�(guān)的應(yīng)用設(shè)�(jì),能夠提供強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力以支持大電流� MOSFET � IGBT 的導(dǎo)通與�(guān)�。它適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,包括 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制和逆變器等場景�
  該器件具有軌到軌輸出擺幅特�,可確保最大化的信號傳輸效�,并且具備短路保�(hù)和欠壓鎖定功�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

型號:CDR31BX183AMZRAT
  品牌:ON Semiconductor
  類型:雙通道 MOSFET �(qū)�(dòng)�
  輸入電壓范圍�4.5V � 18V
  峰值輸出源電流�2A
  峰值輸出灌電流�2A
  傳播延遲:典型� 60ns
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SOIC-8

特�

CDR31BX183AMZRAT 提供了出色的性能表現(xiàn),主要特性如下:
  1. 雙通道�(dú)立驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適合橋式拓?fù)浠螂p MOSFET �(yīng)��
  2. 高速開�(guān)能力,能夠顯著降低開�(guān)損耗�
  3. 支持寬范圍的輸入電壓,適�(yīng)性更�(qiáng)�
  4. �(nèi)置短路保�(hù)�(jī)�,有效避免因過載�(dǎo)致的損壞�
  5. 欠壓鎖定功能確保在不合適的供電條件下自動(dòng)�(guān)閉輸�,提高系�(tǒng)安全��
  6. 小型 SOIC-8 封裝節(jié)省空間,方便布局�(shè)�(jì)�
  7. 符合工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的電氣性能要求,廣泛應(yīng)用于汽車電子、工�(yè)控制及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

CDR31BX183AMZRAT 適用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端和低� MOSFET �(qū)�(dòng)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如無刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
  3. 太陽能逆變器中的功率級�(qū)�(dòng)�
  4. 開關(guān)電源 (SMPS) � LED �(qū)�(dòng)器設(shè)�(jì)�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊驅(qū)�(dòng)�
  6. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電�(dòng)助力�(zhuǎn)� (EPS) 系統(tǒng)�

替代型號

NCD5708D, FAN7382N

cdr31bx183amzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-