CDR31BX152BKZRAT 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,采用小型化的表面貼裝封裝設(shè)�(jì)。該型號(hào)�(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用而優(yōu)化,適用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的場(chǎng)�。其�(nèi)部結(jié)�(gòu)基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
CDR31BX152BKZRAT 的主要應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于電源適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池充電管理電路以及各種工�(yè)控制�(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)組件�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�120mΩ
柵極電荷(典型值)�4nC
總功耗:2.7W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:HFPA2-8B
CDR31BX152BKZRAT 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下有效減少能量損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合要求快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的應(yīng)��
3. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件的可靠性和抗干擾能��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 緊湊型封裝,便于在空間受限的�(shè)�(jì)中使��
這款功率MOSFET 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊�
2. 各種�(lèi)型的DC-DC�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路�
3. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)設(shè)�(jì)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的驅(qū)�(dòng)電路�
5. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)控制部分�
6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(chǎn)��
CDR31BX152AKZRA, CDR31BX152CKZRA