時間：2025/5/21 8:47:27
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CDR31BX103AKSM 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管，專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的封裝技術(shù)，能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。其典型應(yīng)用場景包括電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及射頻功率放大器等。該芯片具備快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點，從而實現(xiàn)更高的工作效率。
這款 GaN 功率晶體管采用了增強型場效應(yīng)晶體管（e-mode FET）結(jié)構(gòu)，確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：20A
導(dǎo)通電阻：100mΩ
柵極閾值電壓：2.5V~4.5V
開關(guān)頻率：最高可達5MHz
結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247-3
CDR31BX103AKSM 的主要特性包括：
1. 高效的氮化鎵 (GaN) 材料，提供卓越的開關(guān)性能和熱管理能力。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷，減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
3. 支持高達 5MHz 的開關(guān)頻率，適用于高頻電力電子設(shè)備。
4. 內(nèi)置 ESD 保護電路，提升器件的抗靜電能力。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛封裝。
6. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)多種惡劣環(huán)境條件。
7. 提供出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長時間運行的應(yīng)用場景。
CDR31BX103AKSM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動汽車充電站中的功率模塊。
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元 (PSU)。
5. 射頻功率放大器和無線能量傳輸系統(tǒng)。
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源適配器。
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的驅(qū)動電源和控制電路。
CDR31BX103AKS, CDR31BX103AK
