CDR31BP621AFZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、逆變器等電力電子領域。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能等特點,能夠滿足�(xiàn)代電子設備對高效能和小型化的需��
此型號屬于CDR系列,主要以N溝道增強型場效應晶體管為特點,適用于中高壓應用場��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�650V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�18A
導通電�(R_DS(on))�0.25Ω(典型值,V_GS=10V時)
功�(P_TOT)�150W
結溫范圍(T_J)�-55°C�+150°C
封裝形式:TO-247
CDR31BP621AFZSAT具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,在相同電壓等級下可以有效減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,具備較小的輸入電容和輸出電荷,適合高頻工作�(huán)��
3. 強大的雪崩能�,能夠在異常條件下提供更高的可靠性�
4. 內置ESD保護電路,增強了器件在惡劣環(huán)境中的抗靜電能力�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持表面貼裝工藝,便于大�(guī)模生�(chǎn)�
該型號的功率MOSFET適用于多種應用場�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. 工業(yè)控制領域中的電機驅動與逆變器模塊�
3. 光伏逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率轉換��
4. 電動汽車(EV)及混合動力汽�(HEV)的車載充電器和DC-DC轉換器�
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的負載開關和保護電路�
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5500
IXTN100N65T2