CDR31BP620BFZPAT 是一種高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高電�、大電流�(chǎng)景下的開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛適用于工業(yè)控制、電源管理及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
其封裝形式為 TO-247,具備良好的散熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
總功耗:200W
工作溫度范圍�-55� � 175�
CDR31BP620BFZPAT 的主要特性包括:
1. 高擊穿電�,能夠適�(yīng)�(fù)雜的高電壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 極低的導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),減少了功率損�,提高了整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損�,提升了�(dòng)�(tài)響應(yīng)能力�
4. �(nèi)置過(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的安全性和可靠性�
5. 封裝材料選用高強(qiáng)度絕緣材�,具有優(yōu)異的�(jī)械強(qiáng)度和電氣性能�
6. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持正常工��
該芯片適合多種應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率�(kāi)�(guān)�
2. 逆變器電路的核心元件�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí)元件�
4. 不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源設(shè)備中的關(guān)鍵功率器��
其高可靠性和高效性能使其成為這些�(lǐng)域的理想選擇�
IRF840,
STP12NM60,
FDP17N60,
IXYS20N65T2