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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP620BFZPAT

CDR31BP620BFZPAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 17:49:51 查看 閱讀�4

CDR31BP620BFZPAT 是一種高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高電�、大電流�(chǎng)景下的開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛適用于工業(yè)控制、電源管理及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  其封裝形式為 TO-247,具備良好的散熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�45nC
  總功耗:200W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

CDR31BP620BFZPAT 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電�,能夠適�(yīng)�(fù)雜的高電壓應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),減少了功率損�,提高了整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損�,提升了�(dòng)�(tài)響應(yīng)能力�
  4. �(nèi)置過(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的安全性和可靠性�
  5. 封裝材料選用高強(qiáng)度絕緣材�,具有優(yōu)異的�(jī)械強(qiáng)度和電氣性能�
  6. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持正常工��

�(yīng)�

該芯片適合多種應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率�(kāi)�(guān)�
  2. 逆變器電路的核心元件�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí)元件�
  4. 不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源設(shè)備中的關(guān)鍵功率器��
  其高可靠性和高效性能使其成為這些�(lǐng)域的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF840,
  STP12NM60,
  FDP17N60,
  IXYS20N65T2

cdr31bp620bfzpat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容62 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�P�0.1%�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-