CDR31BP470BKWSAT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)計。該器件具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為表面貼裝類型(SOT-227B),能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率和可靠��
該芯片特別適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻:0.038Ω
柵極電荷�125nC
輸入電容�2100pF
反向恢復時間�45ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:SOT-227B
CDR31BP470BKWSAT 具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗,提升效率�
2. 高額定電壓(650V),使其適用于廣泛的高壓�(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)損耗�
4. �(nèi)置雪崩保護功�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
5. 支持高達 175� 的結(jié)�,確保高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定運行�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
2. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動控��
4. 汽車電子系統(tǒng)的負載開�(guān)與電源管理�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
6. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場��
CDR31BP470BKWSATL, IRFZ44N, FQP50N06L