時間：2025/5/29 18:57:56
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CDR31BP430BJZMAT 是一種基于硅的功率 MOSFET 芯片，專為高效率、低損耗的開關(guān)應用設(shè)計。該芯片采用先進的制程技術(shù)制造，具有較低的導通電阻和快速的開關(guān)速度，適合在高頻和大電流的應用場景中使用。
該型號屬于溝槽式 MOSFET 產(chǎn)品系列，通常用于電源管理、電機驅(qū)動以及各類工業(yè)電子設(shè)備中。
最大漏源電壓：450V
連續(xù)漏極電流：25A
導通電阻（典型值）：80mΩ
柵極電荷：36nC
輸入電容：1500pF
總功耗：250W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
CDR31BP430BJZMAT 的主要特點是其出色的電氣性能和可靠性。它具有以下優(yōu)勢：
1. 極低的導通電阻，有助于減少傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，支持高頻操作，能夠滿足現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的嚴格要求。
3. 高雪崩能力，確保在異常條件下具備更好的耐用性和安全性。
4. 優(yōu)異的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于嚴苛的工作條件。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且易于集成到各種應用中。
該芯片廣泛應用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS），例如適配器和工業(yè)電源。
2. 逆變器和不間斷電源（UPS）。
3. 電機驅(qū)動器，如家用電器中的直流無刷電機驅(qū)動。
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
CDR31BP430BJZMAQ, IRFP460, STP45NF06
