CDR31BP430BFUR是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和高效率的能量轉(zhuǎn)換。它適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域,如電源適配器、電機(jī)驅(qū)動和LED照明等。
型號:CDR31BP430BFUR
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):430V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):5.6A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):0.7Ω(典型值,V_GS=10V)
總功耗(P_TOT):280W
結(jié)溫范圍(T_J):-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220AC
CDR31BP430BFUR具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性。其主要特點(diǎn)包括:
1. 高耐壓能力:最高可達(dá)430V,適合高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻:在V_GS為10V時(shí),典型導(dǎo)通電阻僅為0.7Ω,從而減少功率損耗。
3. 快速開關(guān)特性:具備較低的輸入和輸出電荷,有助于提高開關(guān)速度并降低開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高溫環(huán)境下長期穩(wěn)定工作。
5. 封裝堅(jiān)固:采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220AC封裝,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
這些特性使得CDR31BP430BFUR成為高效能功率管理的理想選擇。
CDR31BP430BFUR廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器等設(shè)備中。
2. 電機(jī)驅(qū)動:支持無刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電機(jī)控制。
3. LED照明:作為恒流源或開關(guān)控制器使用。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配器、電視機(jī)等。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如PLC控制器、伺服驅(qū)動系統(tǒng)等。
其高可靠性和高效性能使它在眾多功率轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出色。
CDR31BP430BFR, IRF840, STP16NF45