CDR31BP3R6BCZMAT 是一種貼片式陶瓷電容�,屬� C0G(NP0)介�(zhì)類型。該型號(hào)的電容器以其高穩(wěn)定性和低損耗特性著�,適用于高頻電路和精密信�(hào)處理�(chǎng)景。C0G 介質(zhì)材料確保其在寬溫度范圍內(nèi)具有極小的容量變�,非常適合對(duì)溫度�(wěn)定性要求較高的�(yīng)�。這種電容器采用多層陶瓷結(jié)�(gòu)(MLCC�,能夠提供高可靠性和�(yōu)良的電氣性能�
該型�(hào)通常用于濾波、耦合、旁路、去耦等�(chǎng)�,尤其是在射頻和�(wú)線通信�(lǐng)域中表現(xiàn)�(yōu)��
容量�3.3pF
額定電壓�50V
容差:�0.2pF
工作溫度范圍�-55� � +125�
封裝尺寸�0402英寸�1.0mm x 0.5mm�
介質(zhì)材料:C0G(NP0�
Q 值:高于 1000(在 1MHz 下)
頻率范圍:DC � GHz
CDR31BP3R6BCZMAT 的主要特�(diǎn)是其采用� C0G 介質(zhì)材料,這使得它� -55� � +125� 的寬溫度范圍�(nèi)保持了極高的容量�(wěn)定�,容量漂移小� ±30ppm/℃。此�,該電容器還具備超低的等效串�(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL�,使其能夠在高頻條件下表�(xiàn)出色�
該型�(hào)使用多層陶瓷技�(shù)制�,具有良好的抗機(jī)械應(yīng)力能�,并且在焊接�(guò)程中能夠承受多次回流焊而不影響性能。此外,其小型化的封裝設(shè)�(jì)非常適合�(xiàn)代高密度電路板布局需��
由于其高 Q 值和低損耗角正切(tanδ),CDR31BP3R6BCZMAT 在高頻振蕩器、濾波器以及射頻電路中的表現(xiàn)尤為突出�
CDR31BP3R6BCZMAT 主要�(yīng)用于高頻電子�(shè)備中,例如:
1. 射頻模塊和無(wú)線通信系統(tǒng)中的濾波和匹配網(wǎng)�(luò)�
2. 高精度振蕩器和時(shí)鐘電路中的諧振元��
3. 高速數(shù)�(jù)傳輸線路中的信號(hào)耦合與隔��
4. 精密模擬電路中的電源去耦和噪聲抑制�
5. �(yī)療設(shè)�、航空航天和軍工�(lǐng)域的高可靠性電路設(shè)�(jì)�
由于其小型化和高性能特點(diǎn),該型號(hào)也廣泛用于智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中�
C0G-NP0-3.3pF-50V-0402, GRM033R71C3F000JT01, KEM_C0G_330-L