時(shí)間：2025/5/21 8:43:06
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CDR31BP3R3BDZSAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的高性能肖特基二極管。該器件具有高耐壓、低正向壓降和快速恢復(fù)時(shí)間的特點(diǎn)，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景。
其封裝形式為表面貼裝型 (SMD)，適合自動(dòng)化生產(chǎn)和高溫環(huán)境下的應(yīng)用，同時(shí)具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。
類型：肖特基二極管
額定電壓：650V
額定電流：3A
正向壓降 (Vf)：0.8V @ 3A
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：小于 50ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝：DPAK (TO-263)
結(jié)電容：約 45pF
CDR31BP3R3BDZSAT 的主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的碳化硅材料技術(shù)，使其在高頻和高壓環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異。
1. 高耐壓能力：650V 的額定電壓確保了其在多種復(fù)雜電路中的可靠性。
2. 快速開關(guān)性能：小于 50ns 的反向恢復(fù)時(shí)間顯著降低了開關(guān)損耗。
3. 低正向壓降：在大電流條件下，0.8V 的正向壓降提高了整體效率。
4. 寬溫范圍支持：從 -55°C 到 +175°C 的工作溫度范圍，適應(yīng)各種極端環(huán)境。
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：得益于 SiC 材料的優(yōu)越熱導(dǎo)率，該器件能夠在高溫下持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 表面貼裝設(shè)計(jì)：簡化了生產(chǎn)流程并增強(qiáng)了機(jī)械強(qiáng)度。
該肖特基二極管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為整流元件。
2. 光伏逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
3. 電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 的車載充電器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開關(guān)電路。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他高效能電子設(shè)備。
CDR30BP3R3BDZSAT, CDR31BP3R3BDSAT
