CDR31BP331BFZMAT 是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)� MOSFET 功率晶體�。該器件以其高效�、高開關(guān)頻率和低�(dǎo)通損耗的特點(diǎn)著稱,廣泛應(yīng)用于新能源汽�、工�(yè)電源、太陽能逆變器等高性能電力電子�(lǐng)��
其封裝形式為 D2PAK-7(TO-263-7�,具有卓越的散熱性能和堅(jiān)固耐用的結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻:33mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
功耗:250W
工作溫度范圍�-55℃~175�
CDR31BP331BFZMAT 采用了先�(jìn)的碳化硅材料制造工�,具備以下顯著特�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 支持高頻開關(guān)操作,降低磁性元件體積和成本�
4. 熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并改善�(dòng)�(tài)性能�
這款功率 MOSFET 主要用于高效率的電力�(zhuǎn)換場(chǎng)�,具體包括:
1. 新能源汽車中的車載充電器(OBC)和電機(jī)控制��
2. 工業(yè)�(jí) DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
4. 不間斷電源(UPS)和服務(wù)器電源模��
5. 其他需要高效率、高功率密度解決方案的場(chǎng)合�
CDZMAT, C2M0033120D, SCT30N120