時間：2025/5/29 18:57:20
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CDR31BP270BFZSAT 是一款高性能的功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），專為高效率開關應用設計。該器件采用了先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電源管理、電機驅動和其他需要高效能轉換的應用場景。
該芯片主要以 TO-252 封裝形式提供，具備出色的熱性能和電氣性能，能夠滿足工業(yè)和消費電子領域對功率密度和可靠性的嚴格要求。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：48A
導通電阻：1.8mΩ
柵極電荷：40nC
開關速度：快速
封裝形式：TO-252
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
CDR31BP270BFZSAT 的核心特點是其低導通電阻和高電流處理能力，這使其非常適合于需要高效能和低功耗的應用。此外，該器件還具有以下特性：
1. 超低導通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能，能夠支持高頻操作，適合開關電源和 DC-DC 轉換器。
3. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。
4. 高雪崩能量能力，增強了器件的魯棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色設計需求。
CDR31BP270BFZSAT 廣泛應用于各種功率轉換和控制場景，包括但不限于以下領域：
1. 開關模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器。
2. 電機驅動和控制電路。
3. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
4. 消費電子產(chǎn)品中的負載切換和保護電路。
5. LED 驅動器和汽車電子系統(tǒng)中的功率級組件。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400
