類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：85A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.4mΩ
　　柵極電荷(Qg)：78nC
　　總功耗(Ptot)：175W
　　工作溫度范圍：-55℃ to 175℃

CDR31BP201BKZSAT具有非常低的導(dǎo)通電阻，這使得它在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并能有效降低能量損耗。
　　此外，其快速開(kāi)關(guān)能力確保了更高的工作效率，同時(shí)內(nèi)置的ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
　　由于采用了TO-247封裝形式，該器件還具備良好的散熱性能，適合需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的場(chǎng)合。
　　整體而言，這款MOSFET以其卓越的電氣特性和機(jī)械設(shè)計(jì)成為眾多高功率應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。

CDR31BP201BKZSAT主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器
　　2. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊
　　這些應(yīng)用都充分利用了該器件的高效性、可靠性和大電流承載能力。

CDR31BP201AKZSA, CDR31BP201CKZSA