CDR31BP131BKZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供出色的熱性能和電氣性能,同�(shí)支持高頻�(kāi)�(guān)操作以減少系�(tǒng)損耗�
其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在高電壓條件下保持�(wěn)定運(yùn)�,并具備低導(dǎo)通電阻特�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:1700V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�120nC
總電容:35pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝�(lèi)型:D2PAK
CDR31BP131BKZMAT 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)�,例如電�(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備和太陽(yáng)能逆變��
2. 低導(dǎo)通電阻確保在大電流應(yīng)用中降低功��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷有助于減少開(kāi)�(guān)損�,提升效��
4. 碳化硅材料提供卓越的高溫�(wěn)定性,適用于嚴(yán)苛環(huán)��
5. 封裝形式具備良好的散熱性能,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)中�
6. 工作溫度范圍寬廣,滿(mǎn)足極端條件下的使用需求�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種高性能電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 電動(dòng)�(chē)�(chē)載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽(yáng)能光伏并�(wǎng)逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
3. 不間斷電� (UPS) 和服�(wù)器電源�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變頻控制器�
5. 高頻軟開(kāi)�(guān)電路,如 LLC 或諧振變換器�
6. 智能電網(wǎng)相關(guān)基礎(chǔ)�(shè)施中的功率調(diào)節(jié)裝置�
CDR31BP131BKZMA, CDR31BP131BKZM, STGHB131DF2P, FGH15N1700SMD