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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP131BKZMAT

CDR31BP131BKZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 1:55:23 查看 閱讀�10

CDR31BP131BKZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供出色的熱性能和電氣性能,同�(shí)支持高頻�(kāi)�(guān)操作以減少系�(tǒng)損耗�
  其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在高電壓條件下保持�(wěn)定運(yùn)�,并具備低導(dǎo)通電阻特�,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:1700V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�120nC
  總電容:35pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝�(lèi)型:D2PAK

特�

CDR31BP131BKZMAT 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)�,例如電�(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備和太陽(yáng)能逆變��
  2. 低導(dǎo)通電阻確保在大電流應(yīng)用中降低功��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷有助于減少開(kāi)�(guān)損�,提升效��
  4. 碳化硅材料提供卓越的高溫�(wěn)定性,適用于嚴(yán)苛環(huán)��
  5. 封裝形式具備良好的散熱性能,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)中�
  6. 工作溫度范圍寬廣,滿(mǎn)足極端條件下的使用需求�

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種高性能電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 電動(dòng)�(chē)�(chē)載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽(yáng)能光伏并�(wǎng)逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
  3. 不間斷電� (UPS) 和服�(wù)器電源�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變頻控制器�
  5. 高頻軟開(kāi)�(guān)電路,如 LLC 或諧振變換器�
  6. 智能電網(wǎng)相關(guān)基礎(chǔ)�(shè)施中的功率調(diào)節(jié)裝置�

替代型號(hào)

CDR31BP131BKZMA, CDR31BP131BKZM, STGHB131DF2P, FGH15N1700SMD

cdr31bp131bkzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容130 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-
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