CDR31BP111BKZRAT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET,專(zhuān)為高電壓和高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度以及優(yōu)異的熱性能,非常適合用于工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
碳化硅材料的使用使得 CDR31BP111BKZRAT 在高溫環(huán)境下仍能保持出色的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)其緊湊的封裝形式有助于減少整體解決方案的體積和重量。
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流:7A
導(dǎo)通電阻(典型值):65mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
輸入電容:980pF
反向恢復(fù)時(shí)間:60ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃~175℃
封裝形式:TO-247-4L
CDR31BP111BKZRAT 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高達(dá) 1200V,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在額定電流下可有效降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,支持高頻操作,有助于減小無(wú)源元件尺寸。
4. 碳化硅技術(shù)帶來(lái)的卓越熱性能,能夠承受更高的結(jié)溫和溫度變化。
5. 四引腳 TO-247 封裝,分離開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)回路與主功率回路,減少寄生電感影響。
6. 具備強(qiáng)大的短路保護(hù)能力,提高系統(tǒng)可靠性。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中。
CDR31BP111BKZRAT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源,如不間斷電源 (UPS) 和焊接設(shè)備。
2. 太陽(yáng)能逆變器,用于高效能量轉(zhuǎn)換。
3. 電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施,包括直流快充樁。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),特別是在需要高效率和高功率密度的情況下。
5. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 任何需要在高壓、高頻條件下工作的電力電子設(shè)備。
CDR31BP111DKZRAT, C2M0075120D, FFNH15T12MD1