時間：2025/5/19 13:10:45
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CDR01BX271BKZSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 溝道增強(qiáng)型技術(shù)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，適用于多種高頻開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263，能夠滿足工業(yè)級和汽車級應(yīng)用需求。
該芯片廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：45A
導(dǎo)通電阻（典型值）：1.8mΩ
總功耗：210W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263
CDR01BX271BKZSAT 具有以下顯著特點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高電流承載能力，能夠支持大功率負(fù)載。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在極端溫度條件下依然保持可靠運(yùn)行。
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提高了整體抗干擾能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
這款功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級控制。
2. 電機(jī)驅(qū)動和逆變器電路中的功率切換。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載控制。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理及保護(hù)電路。
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
CDR01BX271BKZSAX, IRFZ44N, FDP5800
