CDR01BP181BJZSAT 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 封裝,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中�
這款 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷(典型值)�98nC
總電容(輸入電容):2720pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-263
CDR01BP181BJZSAT 具有以下主要特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高雪崩能力,能夠在異常條件下提供更好的耐用��
3. 快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)境友��
5. 耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),改善散熱性能�
6. 廣泛的工作溫度范�,適合各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
� MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重優(yōu)化了�(dòng)�(tài)和靜�(tài)性能,使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
CDR01BP181BJZSAT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
6. 電信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�
由于其出色的電氣特性和可靠�,CDR01BP181BJZSAT 成為這些�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高性能和高效率的關(guān)鍵組��
CDR01BP181BKTSA, FDP18N60C, IRF2807PBF