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CDR01BP181BJZSAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 13:43:26 查看 閱讀�19

CDR01BP181BJZSAT 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 封裝,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中�
  這款 MOSFET 以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷(典型值)�98nC
  總電容(輸入電容):2720pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:TO-263

特�

CDR01BP181BJZSAT 具有以下主要特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能力,能夠在異常條件下提供更好的耐用��
  3. 快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)境友��
  5. 耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),改善散熱性能�
  6. 廣泛的工作溫度范�,適合各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
  � MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重優(yōu)化了�(dòng)�(tài)和靜�(tài)性能,使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

CDR01BP181BJZSAT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  6. 電信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,CDR01BP181BJZSAT 成為這些�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高性能和高效率的關(guān)鍵組��

替代型號(hào)

CDR01BP181BKTSA, FDP18N60C, IRF2807PBF

cdr01bp181bjzsat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�S�0.001%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.080" � x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"�1.40mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-