CDR01BP151BKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻特�、快速開�(guān)性能以及出色的熱�(wěn)定性。適用于各類電源管理�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)��
該器件以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為核心�(jié)�(gòu),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率。此�,它還具有極佳的抗干擾能力和可靠�,適合在�(yán)苛環(huán)境下工作�
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�40A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.5mΩ @ V_GS=10V
總柵極電�(Q_g)�80nC
輸入電容(C_iss)�1740pF
輸出電容(C_oss)�49pF
反向傳輸電容(C_rss)�185pF
功�(P_TOT)�180W
工作溫度范圍(T_J)�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
3. 高電流承載能力,可滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景需��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
7. 緊湊的表面貼裝封裝形�,簡(jiǎn)化了PCB布局與焊接過程�
8. 良好的動(dòng)�(tài)性能,適合于脈寬�(diào)制(PWM)及�(shù)字控制的�(yīng)用環(huán)境�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電動(dòng)工具、家用電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 汽車電子�(lǐng)域中用于�(fù)載切換或電池保護(hù)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換組��
7. 通信�(shè)備中的高效電源管理單��
8. 各種需要低�(dǎo)通損耗和快速開�(guān)特性的�(chǎng)��
CDR01BP151BKZMA, CDR01BP151BKZM, IRF540N, FDP150AN