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CDR01BP151BKZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 18:18:16 查看 閱讀�16

CDR01BP151BKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻特�、快速開�(guān)性能以及出色的熱�(wěn)定性。適用于各類電源管理�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)��
  該器件以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為核心�(jié)�(gòu),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率。此�,它還具有極佳的抗干擾能力和可靠�,適合在�(yán)苛環(huán)境下工作�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�40A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.5mΩ @ V_GS=10V
  總柵極電�(Q_g)�80nC
  輸入電容(C_iss)�1740pF
  輸出電容(C_oss)�49pF
  反向傳輸電容(C_rss)�185pF
  功�(P_TOT)�180W
  工作溫度范圍(T_J)�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
  3. 高電流承載能力,可滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景需��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  7. 緊湊的表面貼裝封裝形�,簡(jiǎn)化了PCB布局與焊接過程�
  8. 良好的動(dòng)�(tài)性能,適合于脈寬�(diào)制(PWM)及�(shù)字控制的�(yīng)用環(huán)境�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電動(dòng)工具、家用電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車電子�(lǐng)域中用于�(fù)載切換或電池保護(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換組��
  7. 通信�(shè)備中的高效電源管理單��
  8. 各種需要低�(dǎo)通損耗和快速開�(guān)特性的�(chǎng)��

替代型號(hào)

CDR01BP151BKZMA, CDR01BP151BKZM, IRF540N, FDP150AN

cdr01bp151bkzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.080" �(zhǎng) x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"�1.40mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-