CDR01BP150BKZSAT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于多種電力電子�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特性�
它屬� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,廣泛用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效功率管理的�(yīng)用中�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�43A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�98nC
總電容:2720pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
CDR01BP150BKZSAT 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下維持性能�
5. 小封裝尺�,節(jié)省印刷電路板空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片的主要�(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
4. 太陽能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)備�
5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
6. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
IRFP260N
STP45NF06
FDP18N15
IXTH10N150T
TO15N150E