CDR01BP121BKZSAT 是一款由 ON Semiconductor 提供的功� MOSFET,采� TO-263-3 (D2PAK) 封裝形式。該器件主要用于高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中。其�(shè)�(jì)目的是在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,從而優(yōu)化系�(tǒng)性能并降低功��
該型�(hào)屬于 P 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有出色的電氣特性和熱性能,使其非常適合于各種工業(yè)和汽車級(jí)�(yīng)��
類型:P溝道 MOSFET
封裝:TO-263-3 (D2PAK)
最大漏源電� VDS�40V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�-8.9A
�(dǎo)通電� RDS(on)�75mΩ(典型�,在 VGS=-10V 下)
總功� PD�115W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
CDR01BP121BKZSAT 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 支持高溫操作,工作結(jié)溫可�(dá) 175°C,非常適合汽車和工業(yè)�(lǐng)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)�(jì)��
6. �(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能,確保在�(fù)雜電路中的可靠性�
這些特性使� CDR01BP121BKZSAT 成為高效功率�(zhuǎn)換和�(fù)載切換的理想選擇�
CDR01BP121BKZSAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS),包括適配器和充電器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電池供電設(shè)備和通信�(shè)備�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�
4. 汽車電子系統(tǒng),如�(fā)�(dòng)�(jī)控制單元 (ECU) 和車身控制模� (BCM)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效率功率管理的應(yīng)��
由于其強(qiáng)大的電氣性能和耐高溫能�,該器件特別適合�(duì)可靠性和效率要求較高的場(chǎng)景�
CDR01BP121BKTSA, FDP5800, IRF5305