時(shí)間：2025/5/19 13:08:53
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CDR01BP101BKUM 是一種基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的功率電子器件，屬于 Cascode 結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型 GaN FET。它結(jié)合了傳統(tǒng)硅 MOSFET 和高性能 GaN HEMT 的優(yōu)點(diǎn)，能夠在高頻、高效率的應(yīng)用場景中提供卓越的性能表現(xiàn)。
該器件專為高開關(guān)頻率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、反激式電源、電機(jī)驅(qū)動器以及其他功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：8A
導(dǎo)通電阻：16mΩ
柵極閾值電壓：1.4V
輸入電容：920pF
開關(guān)速度：納秒級
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
CDR01BP101BKUM 具備以下顯著特性：
1. 高效性能：得益于 GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)勢，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率，尤其在高頻工作條件下表現(xiàn)出色。
2. 快速開關(guān)能力：其極低的 Qg 和快速開關(guān)速度使得它可以輕松適應(yīng)高頻應(yīng)用場景。
3. 小巧封裝：采用緊湊型封裝設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省電路板空間。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：在寬溫范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能。
5. 集成保護(hù)功能：部分型號內(nèi)置過流保護(hù)及短路保護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
CDR01BP101BKUM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：
包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，尤其是在需要高效率和小體積的設(shè)計(jì)中。
2. 電機(jī)驅(qū)動：
驅(qū)動小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)，適用于家用電器、工業(yè)設(shè)備等。
3. 可再生能源：
例如太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 汽車電子：
如車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：
包括快速充電器和其他便攜式設(shè)備的適配器。
CDR01BP100BQUM, CDR01CP101BKUM
