CC1812GKNPOABN442 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高頻功率放大器芯片,主要用于射頻和微波通信系統(tǒng)。該芯片采用先�(jìn)� GaN 工藝制造,具有高輸出功�、高效率和寬帶寬特�,適合于基站、雷�(dá)、衛(wèi)星通信和其他高性能射頻�(yīng)��
這款芯片通過�(yōu)化設(shè)計以支持高頻段工作,同時保持較低的熱�,從而提高了整體性能和可靠��
型號:CC1812GKNPOABN442
工作頻率范圍�1.8 GHz - 2.2 GHz
輸出功率�44 dBm
增益�12 dB
效率�65%
電源電壓�28 V
靜態(tài)電流�2 A
封裝形式:QFN-32
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
CC1812GKNPOAB采用了最新的氮化鎵技�(shù),具備卓越的高頻性能。其主要特性包括:
1. 高輸出功率:能夠� 1.8 GHz � 2.2 GHz 的頻率范圍內(nèi)提供高達(dá) 44 dBm 的輸出功��
2. 高效率:在高功率輸出時仍然能夠保持約 65% 的效�,減少功耗和熱量生成�
3. 寬帶操作:支持較寬的工作頻率范圍,適用于多種射頻�(yīng)用場��
4. 低熱阻設(shè)計:通過�(yōu)化散熱結(jié)�(gòu),降低了芯片�(yùn)行時的溫�,提高了長期使用的穩(wěn)定��
5. 小型化封裝:采用 QFN-32 封裝,便于集成到緊湊型設(shè)備中�
CC1812GKNPOABN442 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 無線通信基站:支� LTE � 5G �(wǎng)�(luò)中的功率放大需��
2. 雷達(dá)系統(tǒng):可用于氣象雷達(dá)、空中交通管制雷�(dá)等高功率射頻�(yīng)��
3. �(wèi)星通信:為�(wèi)星地面站和用戶終端提供高效功率放大�
4. 測試與測量設(shè)備:用于信號源和功率放大測試儀��
5. 其他工業(yè)和軍事射頻應(yīng)用:如電子戰(zhàn)系統(tǒng)和高能微波設(shè)��
CC1812GKNPAOABN442
CC1812GKNPBAABN442