CBW322513U190T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專(zhuān)為高頻和高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)結(jié)�(gòu),具有超低導(dǎo)通電阻和極快的開(kāi)�(guān)速度,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及激光雷�(dá)等應(yīng)用領(lǐng)��
CBW322513U190T 的封裝形式為符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封裝,有助于簡(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)并提高散熱性能�
型號(hào):CBW322513U190T
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體�
工作電壓�600V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:19mΩ
柵極電荷�40nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由� GaN 技�(shù),無(wú)體二極管效應(yīng)�
封裝形式:LLGA-8
工作溫度范圍�-55� � +175�
CBW322513U190T 提供了卓越的電氣性能和可靠�。其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有效減少傳�(dǎo)損�,提升整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支� MHz �(jí)別的工作頻率,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源和逆變器�
3. 高擊穿電� (600V),確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
4. �(méi)有傳�(tǒng)� MOSFET 中的體二極管效應(yīng),消除了反向恢復(fù)損耗�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省空間并�(yōu)化熱管理�
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
7. 具備出色� EMI 特�,減少對(duì)外部干擾的影��
這些特點(diǎn)� CBW322513U190T 成為需要高性能功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
CBW322513U190T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是筆記本電腦適配器和服�(wù)器電��
2. 快速充電器,支� USB-PD �(xié)議�
3. �(wú)線充電系�(tǒng),提供高效能量傳��
4. 激光雷�(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)中的脈沖�(qū)�(dòng)電路�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服控制器�
6. 可再生能源領(lǐng)域的微型逆變器�
7. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效電源模��
其高效率和緊湊設(shè)�(jì)使得它非常適合對(duì)體積和重量敏感的�(yīng)用場(chǎng)��
CBW322513U150T
CBD322513U190T