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時(shí)間：2025/5/22 14:35:21
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CBW321609U252T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝以確保低導(dǎo)通電阻和高效率。該器件通常用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)注重降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能。
CBW321609U252T 的封裝形式為 TO-252（DPAK），具備良好的散熱性能，同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)（SMD），適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(V_DS)：60V
最大柵源電壓(V_GS)：±20V
連續(xù)漏極電流(I_D)：9A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：2.8mΩ (典型值，V_GS=10V)
柵極電荷(Q_g)：17nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍(T_j)：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-252 (DPAK)
CBW321609U252T 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少導(dǎo)通損耗，從而提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷，有助于降低開關(guān)損耗。
3. 高額定電流能力，可以滿足大功率應(yīng)用的需求。
4. 工作溫度范圍寬廣，適用于各種惡劣環(huán)境下的操作。
5. 封裝形式支持表面貼裝技術(shù)，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提升了可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
CBW321609U252T 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
3. 汽車電子中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
IRFZ44N, FDP5570, AO3400
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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