CBW321609U151T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開(kāi)�(guān)器件,專(zhuān)為高�、高效率�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝和材料,能夠顯著提升電力電子系�(tǒng)的性能和可靠性。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括電源適配器、充電器、太�(yáng)能逆變器和工業(yè)電源��
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�70nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 2MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:TO-247-3
CBW321609U151T 具備卓越的電氣性能和穩(wěn)定�,其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該器件采用了氮化鎵材料,具有比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 更高的功率密度和更低的開(kāi)�(guān)損��
此外,其增強(qiáng)型設(shè)�(jì)確保了在各種�(fù)載條件下的穩(wěn)定性和安全性�
�(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的可靠性和使用壽命�
該器件還支持多種�(qū)�(dòng)方式,便于與不同的控制系�(tǒng)集成�
CBW321609U151T 廣泛�(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、快充設(shè)備、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電系統(tǒng)、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源發(fā)電設(shè)備等�(lǐng)��
其高效率和高功率密度特性使其成為下一代電力電子設(shè)備的理想選擇�
尤其是在小型化和輕量化需求較高的�(chǎng)景中,這款器件能夠提供出色的性能表現(xiàn)�
CBW321609U121T, CBW321609U181T