CBW160808U750T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該型號(hào)采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低寄生電感、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊等�(yīng)用領(lǐng)��
該芯片以增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)為核心,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少體�。其高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代品�
最大漏源電壓:750V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷�23nC
開關(guān)頻率:超�(guò)5MHz
封裝類型:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
CBW160808U750T 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(750V�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(80mΩ�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá)5MHz的開�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
4. 減少的柵極電荷和輸出電荷,�(jìn)一步提升了開關(guān)性能�
5. 先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì)降低了熱阻,確保�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
6. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)極端條件下的使用�(chǎng)景�
這款芯片廣泛�(yīng)用于多種高要求的電力電子�(shè)備中,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和服務(wù)器電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是隔離式或非隔離式�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. �(wú)線充電發(fā)射端,提供高效的能量傳輸�
4. 電動(dòng)車輛(EV)和混合�(dòng)力車輛(HEV)中的車載充電器及逆變��
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和可再生能源逆變�,如太陽(yáng)能微逆變器�
6. LED照明�(qū)�(dòng)電源,支持更高效率和更小尺寸的設(shè)�(jì)�
GB75016A, NVP1608G750, TPH7500E08