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CBW160808U151T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 21:29:21 查看 閱讀�9

CBW160808U151T是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率芯�,專為高頻率、高效率�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該芯片具有出色的開�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,適用于高頻AC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各類電源管理系�(tǒng)�
  其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場�,同�(shí)具備卓越的熱管理和電氣性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號:CBW160808U151T
  封裝:QFN 8x8mm
  額定電壓�650V
  額定電流�15A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  最大工作溫度:175°C
  開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  柵極電荷�25nC
  總電容:12pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(因GaN材料特性無反向恢復(fù)損耗)

特�

CBW160808U151T采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,具有顯著的�(yōu)勢:
  1. 高開�(guān)速度:得益于GaN材料的物理特�,該芯片能夠支持高達(dá)5MHz的開�(guān)頻率,從而減小了磁性元件的尺寸并提升了系統(tǒng)效率�
  2. 低導(dǎo)通電阻:150mΩ的導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下降低功��
  3. 零反向恢�(fù)損耗:由于GaN晶體管沒有體二極管效�(yīng),因此可以完全消除反向恢�(fù)帶來的額外損��
  4. 熱性能�(yōu)越:該芯片經(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠有效管理熱量,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能�(wěn)定��
  5. 小型化封裝:采用QFN 8x8mm封裝,體積小巧,適合對空間要求較高的�(yīng)用場��
  6. 寬廣的工作范圍:額定電壓�650V,能夠適�(yīng)多種輸入電壓�(huán)��

�(yīng)�

CBW160808U151T廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻AC-DC�(zhuǎn)換器:包括消�(fèi)類適配器、數(shù)�(jù)中心電源��
  2. 無線充電模塊:用于智能手�(jī)、可穿戴�(shè)備及其他無線充電�(chǎn)��
  3. LED�(qū)動電源:提供高效的照明解決方��
  4. 電動汽車充電樁:�(shí)�(xiàn)快速充電功��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如伺服驅(qū)動器、機(jī)器人控制系統(tǒng)等需要高效功率管理的場景�
  6. 太陽能微型逆變器:幫助提升能量�(zhuǎn)換效��

替代型號

CBW160808U150T, CBW160808U160T

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