CBR08C820JAGAC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適合用于電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線充電、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
其核心優(yōu)勢(shì)在于高效率和小尺寸,能夠顯著提升系統(tǒng)性能并降低熱損耗。
型號(hào):CBR08C820JAGAC
類型:增強(qiáng)型 GaN HEMT
Vds(漏源電壓):200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):8mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):16A
Qg(總柵極電荷):45nC
Ciss(輸入電容):1190pF
Coss(輸出電容):135pF
Eoss(輸出電荷能量):27nC
Vgs(th)(柵極閾值電壓):1.5V~3V
工作溫度范圍:-55℃~+150℃
封裝形式:LFPAK88
CBR08C820JAGAC 的主要特性包括:
1. 采用氮化鎵材料,具備更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通電阻,從而提高能效并減少熱管理需求。
2. 具有良好的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
3. 封裝形式緊湊,適合高密度設(shè)計(jì),同時(shí)提供優(yōu)異的散熱性能。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
5. 高擊穿電壓和低寄生電感,使其非常適合高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 支持高效的同步整流和硬開關(guān)操作,進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
CBR08C820JAGAC 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 圖騰柱無(wú)橋 PFC 電路,以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電器及車載充電系統(tǒng)。
4. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制器。
5. 高頻逆變器和無(wú)線電力傳輸設(shè)備。
6. 數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效電源模塊。
CBR08C650JAGAC, CBR08C800JAGAC