CBR04C819B5GAC是一款高性能的射頻功率晶體管,主要用于無線通信�(lǐng)域中的射頻放大器�(shè)計。該器件采用先�(jìn)的LDMOS工藝制�,能夠在高頻段提供高效率和高增益的性能表現(xiàn)�
這款晶體管適用于基站、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他需要大功率輸出的應(yīng)用場�。其封裝形式為陶瓷氣密封�,具有良好的散熱性能和可靠性�
型號:CBR04C819B5GAC
工作頻率范圍�700 MHz � 3 GHz
輸出功率(P3dB):45 W
增益�12 dB
效率�60 %
供電電壓�28 V
最大漏極電流:7.5 A
封裝形式:陶瓷氣密TO-247
存儲溫度范圍�-55 � � +150 �
CBR04C819B5GAC具有以下顯著特點�
1. 高效的能量轉(zhuǎn)換能�,在整個工作頻帶內(nèi)可保持較高的功率附加效率(PAE��
2. �(wěn)定性好,能夠承受較高的VSWR�(fù)載失配而不損壞�
3. �(nèi)部匹配網(wǎng)�(luò)�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,便于用戶在實際�(yīng)用中實現(xiàn)簡單的設(shè)計與�(diào)��
4. 提供�(yōu)異的線性度表現(xiàn),適合用于對信號�(zhì)量要求嚴(yán)格的�(xiàn)代通信系統(tǒng)�
5. 具備較強(qiáng)的抗ESD能力,提升了�(chǎn)品的可靠性和使用壽命�
6. 支持多載波操�,滿足當(dāng)前復(fù)雜調(diào)制模式的需求�
CBR04C819B5GAC廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動通信基站的射頻功率放大器�(shè)�,支持包括LTE、WCDMA等在�(nèi)的多種標(biāo)�(zhǔn)�
2. 微波點對點通信系統(tǒng)的功率放大模塊�
3. 軍用及民用雷�(dá)�(shè)備中的發(fā)射機(jī)部分�
4. 工業(yè)加熱、等離子體激�(fā)以及其他非通信類的大功率射頻應(yīng)用�
5. 測試測量儀器中的信號源或功率放大組��
CBR04C819B3GAC, CBR04C819B4GAC