CBM201209U801T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻功率放大器等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具備高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度和整體性能�
這款芯片專為高頻率和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),特別適合需要小體積和高性能的設(shè)�,例如數(shù)�(jù)中心電源、通信基站以及電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)�
型號(hào):CBM201209U801T
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�20 A
�(dǎo)通電阻:7 mΩ(典型值)
柵極電荷�45 nC(典型值)
開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
CBM201209U801T 的核心特性在于其采用了氮化鎵(GaN)材料,相比傳統(tǒng)的硅基晶體管,具有更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度。這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)減少了開�(guān)損耗和熱損��
此外,該器件還具有以下特�(diǎn)�
1. 高擊穿電�,可承受高達(dá) 600V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定性�
2. 快速開�(guān)能力,支持高�(dá) 5 MHz 的開�(guān)頻率,適用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提升了系統(tǒng)可靠��
4. 小尺寸封裝,能夠在有限空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的功率密��
5. �(yōu)異的熱性能,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
由于這些特性,CBM201209U801T 成為�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
CBM201209U801T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,特別是用于服務(wù)�、PC 和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源模塊�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如電動(dòng)汽車中的車載充電器和高壓電池管理系統(tǒng)�
3. 射頻功率放大�,在�(wú)線通信基站中提供高效的信號(hào)放大�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)��
5. 太陽(yáng)能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
總之,任何需要高效率、高頻率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用都可以� CBM201209U801T 的卓越性能中受��
CMG120X120D, STGAP120, EPC2020