CBG321609U601T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝和封裝技術(shù)設(shè)計,適用于高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用。該芯片具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和優(yōu)異的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、工業(yè)自動化等領(lǐng)域。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其優(yōu)化的結(jié)構(gòu)使其能夠在高頻工作條件下保持較低的損耗,從而提高整體系統(tǒng)的效率。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:16A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:18nC
開關(guān)速度:非�?�
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
CBG321609U601T 具備以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)特性,適合高頻操作環(huán)境,有效減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力,確保在異常工作條件下的可靠性。
4. 內(nèi)置 ESD 保護功能,增強芯片對靜電放電的耐受能力。
5. 緊湊型封裝設(shè)計,便于 PCB 布局和散熱管理。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料使用。
CBG321609U601T 主要用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動電路中的高效功率控制。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護電路。
5. 各類消費電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
該芯片憑借其卓越的性能和可靠性,成為眾多高要求應(yīng)用場景的理想選擇。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP16N6S