CBG201209U221T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)備中。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制造,具備卓越的開�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻特�,從而顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體解決方案尺寸�
其封裝形式為緊湊型表面貼裝設(shè)�(jì),適用于高密度電路板布局,同時具備出色的熱性能以支持更高功率的�(yīng)用場��
型號:CBG201209U221T
類型:增�(qiáng)型功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
封裝:UQFN
最大漏源電� (Vds)�200 V
最大柵極電� (Vgs):�8 V
持續(xù)漏極電流 (Id)�9 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�22 mΩ
柵極電荷 (Qg)�35 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
CBG201209U221T 具備以下主要特性:
1. 高速開�(guān)能力:得益于 GaN 材料的獨(dú)特屬�,該晶體管具有超快的開關(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高達(dá) 5 MHz 的工作頻�,大幅優(yōu)于傳�(tǒng)硅基 MOSFET�
2. 低導(dǎo)通電阻:� 22 mΩ � Rds(on) 值有效降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
3. 小型化設(shè)�(jì):緊湊型 UQFN 封裝使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)境,同時�(yōu)化了 PCB 布局�
4. 熱性能�(yōu)異:通過�(yōu)化封裝結(jié)�(gòu),CBG201209U221T 可在高功率密度應(yīng)用中保持良好的散熱性能�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試驗(yàn)�,確保器件能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
CBG201209U221T 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
- 高效 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
- 圖形卡和服務(wù)器電源模�
2. 快速充電設(shè)備:
- USB-PD 控制器配套使�
- 移動�(shè)備充電適配器
3. 無線充電系統(tǒng)�
- 提升無線傳輸效率
- 減少�(fā)熱問�
4. 激光雷�(dá) (LiDAR)�
- 高速脈沖驅(qū)�
- 精確測距與成�
5. 電機(jī)�(qū)動與控制�
- 無刷直流電機(jī)控制�
- 家用電器中的智能�(qū)動單�
CGH2009A, TPH2610WS, EPC2020