BZ-XBH361-TR9是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于電源�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能。它適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子�(chǎn)��
型號:BZ-XBH361-TR9
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�36A
導通電阻:1.8mΩ(典型值)
總功耗:150W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
BZ-XBH361-TR9的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應用環(huán)��
3. 高電流承載能力,支持高達36A的連續(xù)漏極電流�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,允許在高溫條件下正常工��
5. �(nèi)置ESD保護功能,增強了器件的抗靜電能力�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設(shè)計�
這些特點使得BZ-XBH361-TR9成為各種高效功率�(zhuǎn)換應用的理想選擇�
BZ-XBH361-TR9主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動電��
3. 電動工具和家用電器中的直流無刷電機控��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電管理模塊�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
6. 各種負載開關(guān)和保護電��
BZ-XBH361-TR9憑借其出色的電氣性能和可靠�,在上述應用場景中表�(xiàn)出色�
BZ-XBH360-TR9
BZ-XBH362-TR9
IRF3205
FDP55N06L