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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BVSS123LT1G

BVSS123LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 20:43:35 查看 閱讀�17

BVSS123LT1G是一款來自Diodes Incorporated的肖特基二極管,采用SOD-123FL封裝形式。該器件以其低正向電壓降和快速恢復時間著�,非常適合應用于高效能開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及便攜式電子設備等場合。肖特基二極管因其獨特的物理特�,在高頻電路和低功耗設計中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大正向電流:1A
  最大反向電壓:40V
  正向電壓�0.35V(典型�,If=100mA�
  反向漏電流:10uA(Vr=40V,Tj=25℃)
  �(jié)電容�4pF(最大�,Vr=0V,f=1MHz�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

BVSS123LT1G具有較低的正向電壓降,可有效減少功率損耗,提升整體效率�
  其快速恢復時間確保了在高頻應用中的卓越性能表現(xiàn)�
  同時,該器件具備較高的浪涌能�,能夠承受瞬�(tài)大電流沖��
  此外,SOD-123FL封裝提供緊湊的外形尺寸和良好的熱性能,使其非常適合空間受限的設計�

應用

該二極管廣泛用于消費類電子產(chǎn)品、計算機外設和工�(yè)控制領域�
  典型應用場景包括�
  - 開關電源中的�(xù)流二極管
  - 便攜式設備中的保護二極管
  - 高頻整流電路
  - 極性保護電�
  - 太陽能電池板旁路二極�

替代型號

MSS123LT1G, RB40TQ120SLT

bvss123lt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bvss123lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C170mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 歐姆 @ 100mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)*
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
  • 功率 - 最�225mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)