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BUK9K25-40E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 11:37:37 查看 閱讀�34

BUK9K25-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等電路中。該器件的封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝工藝�
  這款MOSFET因其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):BUK9K25-40E
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�40V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�28A(Tc=25°C�
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�3.7mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�160W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  工作�(huán)境溫度范圍:-55°C�+150°C

特�

BUK9K25-40E 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率�
  3. �(qiáng)大的電流處理能力,能夠支持高�(dá)28A的連續(xù)漏極電流�
  4. 熱性能�(yōu)�,通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提高了散熱效��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. 提供了可靠的靜電防護(hù)功能,增�(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的耐用��
  7. 封裝形式兼容性強(qiáng),便于集成到各類印刷電路板中�

�(yīng)�

BUK9K25-40E 的應(yīng)用范圍非常廣�,主要包括以下幾�(gè)方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和主開關(guān)元件�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,用于過(guò)流保�(hù)及快速切換�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理、電�(dòng)座椅�(qū)�(dòng)等功能模塊�
  由于其高性能和高可靠�,該MOSFET非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和高電流處理能力的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N20, PSMN023-30PL

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