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BU508AFI 發(fā)布時間 時間�2022/11/25 10:43:37 查看 閱讀�600

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�8A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�700V

    


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�8A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�700V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�1V @ 2A, 4.5A

    電流 - 集電極截止(最大)�1mA

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�-

    功率 - 最大:50W

    頻率 - �(zhuǎn)換:7MHz

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:ISOWATT-218-3

    包裝:管�

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
STMICROELECTRONICS

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bu508afi參數(shù)

  • 標準包裝300
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)8A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)700V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 2A�4.5A
  • 電流 - 集電極截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)-
  • 功率 - 最�50W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�7MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOWATT-218-3
  • 供應商設備封�ISOWATT-218FX
  • 包裝管件