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BU508A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/12/8 14:48:47 查看 閱讀�1384

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類(lèi)型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�8A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�700V


目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類(lèi)型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�8A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�700V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�1V @ 2A, 4.5A

    電流 - 集電極截止(最大)�1mA

    在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�-

    功率 - 最大:125W

    頻率 - �(zhuǎn)換:7MHz

    安裝�(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-247-3

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�497-2599-5


資料

廠商
STMICROELECTRONICS

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON T...
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bu508a參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)8A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)700V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 2A�4.5A
  • 電流 - 集電極截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)-
  • 功率 - 最�125W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�7MHz
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-2599-5