BTS660P是一款由英飛凌(Infineon)推出的高性能N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、負載切換等領域,具備高效率和低導通損耗的特點。其額定電壓�60V,能夠承受較高的電流負載,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的電路設計�
BTS660P�(nèi)部集成了一個續(xù)流二極管,可有效減少開關過程中的反向恢復損�,同時提供更�(yōu)的熱性能表現(xiàn)。此外,其超低的導通電阻有助于降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�52A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�129nC
總電容:78pF
工作溫度范圍�-40℃至175�
BTS660P的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,僅�4.5mΩ,有助于顯著降低導通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 集成�(xù)流二極管,降低了反向恢復時間,提高了高頻開關應用中的性能�
3. 超高的電流承載能�,最大支�52A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需求�
4. 采用先進的封裝技�,具有良好的散熱性能,適合在高溫�(huán)境下使用�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-40℃至175℃),保證了器件在各種環(huán)境下的可靠��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化的設計中�
BTS660P適用于以下應用場景:
1. 開關電源(SMPS)設計中的主功率開關元件�
2. 工業(yè)電機控制與驅(qū)動電路中的功率級組件�
3. 汽車電子中的負載切換及保護模��
4. 大功率LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路�
5. 各類消費電子�(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)換模��
由于其卓越的電氣特性和�(wěn)定�,BTS660P成為許多高要求應用的理想選擇�
BTS660G, IRF660P