BTS640S2是一款由英飛凌(Infineon)推出的N溝道功率MOSFET,采用SO-8封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于汽車電�、工�(yè)控制以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
該芯片的�(shè)�(jì)注重在高電流�(yīng)用中的表�(xiàn),同�(shí)具備良好的耐用性和可靠�,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�31A
�(dǎo)通電阻:4.9mΩ
柵極電荷�50nC
開關(guān)�(shí)間:ton=34ns, toff=19ns
工作溫度范圍�-40℃至175�
封裝形式:SO-8
BTS640S2的突出特性包括其超低的導(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。此外,它具備較高的柵極閾值電�,可以有效防止寄生導(dǎo)通現(xiàn)象的�(fā)�。該器件還集成了反向恢復(fù)二極管功�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在高頻開�(guān)�(yīng)用中的性能�
BTS640S2采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,使其能夠承受較大的電流�(fù)載,并且具備�(yōu)良的熱穩(wěn)定�,即使在高溫條件下也能可靠工�。另外,由于其緊湊的封裝尺寸,因此在�(shè)�(jì)電路板時(shí)可以節(jié)省空間�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)�,例如發(fā)�(dòng)�(jī)控制單元、變速器控制模塊以及車身控制系統(tǒng)�。同�(shí),它也適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)、開�(guān)電源及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
具體�(yīng)用場景包括但不限于以下方面:
1. 汽車啟停系統(tǒng)中的繼電器替代方�
2. 工業(yè)�(jī)器人�(guān)節(jié)�(qū)�(dòng)控制
3. 電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)等舒適性功能的�(zhí)行機(jī)�(gòu)�(qū)�(dòng)
4. 各類開關(guān)模式電源的同步整流環(huán)節(jié)
BTS640P2L, BTS640P2