BTS5672E是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的高效能N溝道功率MOSFET,采用DPAK封裝形式。該芯片主要�(shè)計用于高電流、低導通電阻的應用場景,廣泛適用于汽車電子和工�(yè)�(lǐng)域。它具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足嚴格的系統(tǒng)要求。此�,其�(nèi)部集成的溫度保護功能和過流保護功能使得器件在異常情況下具備更高的可靠性�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�38A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�40nC
工作�(jié)溫范圍:-40℃至175�
封裝類型:DPAK(TO-263�
BTS5672E采用了先進的溝槽式MOSFET技�(shù),實�(xiàn)了超低的導通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能。這使得它在負載切�、DC/DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用中表�(xiàn)出色�
此外,該器件還具備以下關(guān)鍵特性:
- 集成的過溫關(guān)斷保護功能確保了在極端條件下不會損壞芯片�
- �(nèi)置的短路保護功能可以有效防止因負載故障導致的器件損壞�
- 出色的熱�(wěn)定性使其能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)�(wěn)定運行�
- 超低導通電阻減少了傳導損�,提高了整體效率�
- 符合AEC-Q101標準,適合汽車級應用�
BTS5672E主要應用于汽車電子和工業(yè)控制�(lǐng)�,具體包括但不限于以下方面:
- 汽車電動座椅�(qū)動電�
- 汽車雨刷控制系統(tǒng)
- 電動車窗升降模塊
- 工業(yè)電機�(qū)�
- DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
- 各類高電流負載的開關(guān)控制
BTS5670E, BTS5671E