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BT169GW 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 16:08:26 查看 閱讀：8

BT169GW 是一種高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效開關(guān)特性的電路中。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
　　BT169GW 的設(shè)計(jì)使其在高頻工作條件下依然保持出色的性能，同時(shí)其封裝形式也支持高效的散熱管理，適用于對(duì)功率密度和熱性能要求較高的場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵極源極電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：4mΩ
　　總功耗：180W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

BT169GW 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在大電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開關(guān)特性，有助于降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
　　4. 熱穩(wěn)定性良好，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期運(yùn)行。
　　5. 支持多種保護(hù)功能的集成設(shè)計(jì)，如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。
　　6. 封裝形式適合高效的散熱管理，滿足高功率密度應(yīng)用需求。

應(yīng)用

BT169GW 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管或高頻開關(guān)管。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 新能源領(lǐng)域，如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電裝置中的功率轉(zhuǎn)換部分。
　　6. 各類需要高效功率開關(guān)的消費(fèi)類電子產(chǎn)品，例如筆記本適配器和LED驅(qū)動(dòng)電源。

替代型號(hào)

IRF840, BUZ11, FDP55N06L

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