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BSZ900N20NS3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 17:35:51 查看 閱讀�29

BSZ900N20NS3G是一款基于MOSFET技�(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,適用于高�、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,以滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)效率和性能的要�。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  該芯片的最大漏源電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備較強(qiáng)的電流處理能�。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電容,從而提高了�(kāi)�(guān)效率并減少了能量損��

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
  柵極電荷�15nC
  總電容:480pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

BSZ900N20NS3G的主要特�(diǎn)是其高效的開(kāi)�(guān)特性和出色的熱�(wěn)定性。該器件采用了優(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu),使其在高頻�(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)出較低的�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�。同�(shí),其較低的柵極電荷和輸出電容有助于減少開(kāi)�(guān)延遲�(shí)�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  該器件還具備良好的短路耐受能力,能夠在短時(shí)間內(nèi)承受�(guò)載條件而不�(huì)損壞。此外,其工作溫度范圍較�,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)�。這些特性使得BSZ900N20NS3G成為許多高壓功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

BSZ900N20NS3G廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 逆變�
  5. 充電�
  6. 電磁閥驅(qū)�(dòng)
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效能和高�(wěn)定性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品�

替代型號(hào)

BSZ900N20NS3L
  IRFZ44N
  STP90NF20
  FQP19N20

bsz900n20ns3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bsz900n20ns3g參數(shù)

  • 制造商Infineon
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓200 V
  • �/源擊穿電�20 V
  • 漏極連續(xù)電流15.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)77 mOhms
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體PG-TDSON-8
  • 封裝Reel
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)16 S, 8 S
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散62.5 W
  • 零件�(hào)別名BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GXT