BSZ900N20NS3G是一款基于MOSFET技�(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,適用于高�、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,以滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)效率和性能的要�。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該芯片的最大漏源電壓為200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備較強(qiáng)的電流處理能�。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電容,從而提高了�(kāi)�(guān)效率并減少了能量損��
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷�15nC
總電容:480pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
BSZ900N20NS3G的主要特�(diǎn)是其高效的開(kāi)�(guān)特性和出色的熱�(wěn)定性。該器件采用了優(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu),使其在高頻�(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)出較低的�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�。同�(shí),其較低的柵極電荷和輸出電容有助于減少開(kāi)�(guān)延遲�(shí)�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
該器件還具備良好的短路耐受能力,能夠在短時(shí)間內(nèi)承受�(guò)載條件而不�(huì)損壞。此外,其工作溫度范圍較�,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)�。這些特性使得BSZ900N20NS3G成為許多高壓功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
BSZ900N20NS3G廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 逆變�
5. 充電�
6. 電磁閥驅(qū)�(dòng)
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效能和高�(wěn)定性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品�
BSZ900N20NS3L
IRFZ44N
STP90NF20
FQP19N20