BSZ22DN20NS3G是一種N溝道MOSFET功率晶體�,采用SMD封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于多種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,確保了在高效能功率管理中的出色表�(xiàn)。其主要用途包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及電池保�(hù)等場(chǎng)��
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4Ω
總功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55� to 175�
BSZ22DN20NS3G具有非常低的�(dǎo)通電�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
該器件支持快速開�(guān)操作,能夠有效降低開�(guān)損��
由于采用了無鉛設(shè)�(jì),符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適用于�(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàng)目�
其高雪崩能量能力�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的魯棒�,可承受異常瞬態(tài)電壓而不損壞�
此外,小型化的SMD封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境�
該芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電�、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)域�
典型�(yīng)用包括便攜式�(shè)備的電源管理系統(tǒng)、LED�(qū)�(dòng)電路、通信系統(tǒng)的信�(hào)切換模塊、打印機(jī)和其他辦公自�(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控��
同時(shí),它還被用來�(shí)�(xiàn)高效的同步整流功能以及各種形式的功率�(zhuǎn)換方�,例如降壓或升壓型DC-DC變換器�
BSZ22DN20NS5G
IRFZ44N
FDP5500
AOD510