BSZ160N10NS3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于需要高效能和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。BSZ160N10NS3G廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等電路中�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�7.8A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�54mΩ
柵極電荷�9nC
輸入電容�1290pF
總功耗:15W
工作溫度范圍�-55� to +175�
BSZ160N10NS3G具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率�
其高雪崩能量能力使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該器件具備出色的熱性能和電氣性能�
此外,BSZ160N10NS3G的開(kāi)�(guān)速度�,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損��
它還具有較低的柵極電�,使得驅(qū)�(dòng)更加�(jiǎn)單和高效�
BSZ160N10NS3G適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和高頻轉(zhuǎn)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流管
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
5. 汽車電子系統(tǒng)中的各種功率控制模塊
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單�
這款MOSFET因其高效和可靠的性能表現(xiàn),成為眾多工程師在設(shè)�(jì)高性能電路�(shí)的首��
BSC160N10NS3G, BSS160N10NS3G