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BSZ130N03LSG 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 10:52:34 查看 閱讀�22

BSZ130N03LSG是一款基于超�(jié)技�(shù)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于高頻開�(guān)�(yīng)用場合,如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動等�(lǐng)域�
  這款MOSFET采用TO-Leadless封裝形式,具備出色的熱性能和電氣性能。其�(shè)計旨在降低功耗并提高效率,非常適合需要高效能和小型化�(shè)計的�(yīng)用場景�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓Vds�30V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�146A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(在典型條件下)
  總功耗Ptot�279W
  工作溫度范圍Tj�-55� to +175�
  封裝形式:TO-Leadless

特�

BSZ130N03LSG采用了先進的超結(jié)技�(shù),使其具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為1.5mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能力,支持高達146A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,可有效降低開關(guān)損��
  4. 小型化的TO-Leadless封裝形式,能夠提供良好的散熱性能和節(jié)省PCB空間�
  5. 耐熱增強�(shè)�,能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�

�(yīng)�

BSZ130N03LSG適用于各種高功率密度和高頻開�(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器控��
  3. 電動車輛中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和牽引逆變器�
  4. 高效負載點(POL)轉(zhuǎn)換器�
  5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  6. 各種工業(yè)和消費類電子�(shè)備中的功率管理模��

替代型號

BSC016N04LS G,BSD100N04LS G

bsz130n03lsg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsz130n03lsg參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ130N03LS G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫歐 @ 20A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • � Vds 時的輸入電容(Ciss)970pF @ 15V
  • 功率 - 最�25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ130N03LSGINTR BSZ130N03LSGXT SP000278810