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BSZ123N08NS3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:55:32 查看 閱讀�22

BSZ123N08NS3G是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了Trench技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高效能電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。它的工作電壓范圍為-0.3V�80V,能夠滿足大多數(shù)工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��
  這款MOSFET在封裝形式上采用了TO-252 (DPAK) 封裝,其緊湊的外形和出色的電氣性能使其成為�(xiàn)代電子產(chǎn)品中的理想選��

參數(shù)

最大漏源電�(VDS)�80V
  連續(xù)漏極電流(ID)�123A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�76nC
  輸入電容(Ciss)�3540pF
  總熱�(θJA)�40°C/W
  工作溫度范圍(Top)�-55°C�175°C

特�

BSZ123N08NS3G具備卓越的電氣特性和可靠性。其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),可有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  這些特性使得該器件非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

BSZ123N08NS3G廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)模式電源(SM-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  由于其高電流承載能力和低�(dǎo)通電阻,該器件能夠在各種�(yán)苛環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,從而確保系�(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性和高性能表現(xiàn)�

bsz123n08ns3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsz123n08ns3g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSZ123N08NS3G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.3 毫歐 @ 20A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 33µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss)1700pF @ 40V
  • 功率 - 最�66W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3GXT SP000443632